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C089BJ-01

更新时间： 2024-11-29 06:45:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	25K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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C089BJ-01 数据手册

NPN S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

2328S 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：C089BJ-01

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：890×890µm ²

焊位尺寸：B 极 150×150µm ²；E 极 153×153µm ²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：KSC2328A，H2328S

█ 极限值（T_a=25℃）（封装形式：TO-92）

T_stg——贮存温度

T_j——结温

- 55~150℃

150℃

0.75W

30V

P_C——集电极耗散功率

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

30V

I_C——集电极电流

█ 电参数（T_a=25℃）（封装形式：TO-92）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

I_C=100µA，I_E=0

I_C=10mA，I_B=0

I_E=1mA，I_C=0

100

320

nA V_CB=30V，I_E=0

nA V_EB=5V，I_C=0

V_CE=2V，I_C=500mA

I_EBO

h_FE

100

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极导通电压

特征频率

I_C=1.5A，I_B=30mA

V_CE=2V，I_C=500mA

120

MHz V_CE=2V，I_C=500mA

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

C_ob

共基极输出电容

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