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C080BJ-04

更新时间： 2024-10-05 06:45:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	228K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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C080BJ-04 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

汕汕子器件有限公司

667A 晶体管芯片明

█ 芯片介

█ 管芯示意

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代：C080BJ-04

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：800×800µm ²

位尺寸：B 极124×124µm ²；E 极221×110µm ²

极金属：

背面金属：金

典型封装：2SD667A，H667A

█ 极限（T_a=25℃）（ TO-92L）

T_stg— — 存温度⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -55~150℃

T_j— — 温⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 150℃

P_C— — 集极功率耗散（T_A=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 0.9W

V_CBO— — 集极— 基极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 120V

V_CEO— — 集极— 射极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 100V

V_EBO— — 射极— 基极 ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 5V

I_C— — 集极流⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 1A

█ 参数（T_a=25℃）（TO-92L）

参数符号

符号

明

最小典型最大

位

条件

I_C=10µA，I_E=0

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

集极— 基极穿

120

100

集极— 射极穿

射极— 基极穿

I_C=1mA，I_B=0

I_E=10µA，I_C=0

集极— 基极截止流

直流流增益

µA V_CB=100V，I_E=0

V_CE=5V，I_C=150mA

V_CE=5V，I_C=500mA

h_FE

300

V_CE(sat) 集极— 射极和

V_BE(on) 基极— 射极

I_C=500mA，I_B=50mA

V_CE=5V，I_C=150mA

1.5

f_T

特征率

140

MHz V_CE=5V，I_C=150mA

C_ob

共基极出容

pF V_CB=10V，I_E=0，f=1MHz

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