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C080BJ-02

更新时间： 2024-10-05 06:45:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	27K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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C080BJ-02 数据手册

NPN S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

2655 晶体管芯片说明书

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：C080BJ-02

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：800×800µm ²

焊位尺寸：B 极 124×124µm ²；E 极 221×110µm ²

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SC2655

█ 极限值（T_a=25℃）（TO-92L）

T_stg——贮存温度

- 55~150℃

150℃

900mW

50V

T_j——结温

P_C——集电极功率耗散（T_a=25℃）

_CBO——集电极—基极电压

_CEO——集电极—发射极电压

_EBO——发射极—基极电压

50V

I_C——集电极电流

I_B——基极电流

0.5A

█ 电参数（T_a=25℃）（TO-92L）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

I_C=100µA，I_E=0

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

I_C=10mA，I_B=0

I_E=100µA，I_C=0

µA V_CB=50V，I_E=0

µA V_EB=5V，I_C=0

I_EBO

h_FE

240

V_CE=2V，I_C=500 mA

V_CE=2V，I_C=1.5A

I_C=1A，I_B=50mA

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极饱和电压

特征频率

0.5

1.2

100

MHz V_CE=2V，I_C=500mA

C_ob

共基极输出电容

pF V_CB=10V，I_E=0，f=1MHz

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