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BZX884-C33

更新时间: 2024-12-02 11:09:59
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 测试二极管
页数 文件大小 规格书
13页 295K
描述
Voltage regulator diodesProduction

BZX884-C33 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PBCC-N2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PBCC-N2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:33 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
最大电压容差:5%工作测试电流:2 mA
Base Number Matches:1

BZX884-C33 数据手册

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BZX884 series  
Voltage regulator diodes  
Rev. 5 — 14 December 2020  
Product data sheet  
1. General description  
General-purpose Zener diodes in an SOD882 (DFN1006-2) leadless ultra small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Total power dissipation: Ptot ≤ 250 mW  
Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)  
Two tolerance series: ± 2 % and ± 5 %  
Leadless ultra small plastic package suitable for surface-mounted design  
AEC-Q101 qualified  
3. Applications  
General regulation functions  
ElectroStatic Discharge (ESD) ultra high-speed switching  
High-frequency applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
IF = 10 mA  
Tamb ≤ 25 °C  
Min  
[1] -  
[2] -  
Typ  
Max  
0.9  
Unit  
V
VF  
forward voltage  
total power dissipation  
-
-
Ptot  
250  
mW  
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.  
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode[1]  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
A
2
1
1
2
2
006aaa152  
Transparent  
top view  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
 
 
 
 
 
 

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