BZX85C12

更新时间： 2024-09-23 06:45:23

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RECTRON		二极管齐纳二极管测试
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2页	88K
描述
1.3W DO-41 Zener Diode

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BZX85C12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.32
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	0.5 Ω	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	12 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5.3%
工作测试电流：	20 mA

BZX85C12 数据手册

RECTRON

BZX85C2V7

THRU

BZX85C47

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

1ꢀ3W DO-41 Zener Diode

DO-41

All Dimensions in mm

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Tolerance

r _ZT

( )

( A)

Part Number

V_{ZT nom}

(V)

I _ZT

(mA)

V_R

(V)

(W)

( %)

BZX85C2V7

2.7

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

7.4

6.0

5.5

5.1

6.9

6.3

5.8

7.1

150.000

40.000

20.000

10.000

3.000

80.0

70.0

60.0

50.0

45.0

150.000

40.000

20.000

10.000

3.000

1.0 1.300

1.5 1.300

2.0 1.300

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

3.000

1.000

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