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BZX85C11

更新时间： 2024-09-24 00:01:27

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EIC		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
3页	28K
描述
SILICON ZENER DIODES

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BZX85C11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.15	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	8 Ω	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	11 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

BZX85C11 数据手册

BZX85C Series

SILICON ZENER DIODES

DO - 41

V :

2.4 - 200 Volts

P :

1.3 Watts

FEATURES :

* Complete Voltage Range 2.7 to 200 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

0.080 (2.0)

* Low leakage current

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

MECHANICAL DATA

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

1.3

Unit

Watts

Volts

DC Power Dissipation at TL = 50 C (Note1)

Maximum Forward Voltage at I = 200 mA

1.0

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note2)

Junction Temperature Range

130

K / W

R JA

- 55 to + 175

Storage Temperature Range

Note :

(1) TL = Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body

(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case.

Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE

1.5

L = 3/8" (9.5mm)

1.2

0.9

0.6

0.3

100

125

150

175

LEAD TEMPERATURE ( C)

UPDATE : SEPTEMBER 9, 2000

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