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BZX84C4V7L99Z

更新时间: 2024-11-28 19:57:23
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德州仪器 - TI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
4.7V, 0.35W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB

BZX84C4V7L99Z 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.11
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.7 V最大反向电流:3 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
电压温度Coeff-Max:0.2 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

BZX84C4V7L99Z 数据手册

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