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BZX84C3V0W

更新时间: 2024-11-26 12:53:47
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TYSEMI 二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 146K
描述
Planar Die Construction, 200mW Power Dissipation

BZX84C3V0W 数据手册

 浏览型号BZX84C3V0W的Datasheet PDF文件第2页 
Product specification  
BZX84C3V0W  
Features  
Planar Die Construction  
200mW Power Dissipation  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Forward Voltage @ IF = 10mA  
Symbol  
VF  
Rating  
0.9  
Unit  
V
Power Dissipation  
PD  
200  
mW  
K/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
Operating and Storage Temperature Range  
R
JA  
625  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Electrical Characteristics @ TA = 25 C unless otherwise specified  
Maximum  
Temperature  
Coefficient of  
Zener Voltage  
@ IZT = 5mA  
(mV/ C)  
Zener Voltage  
Range *1  
Maximum Zener Impedance*2  
Reverse Current  
*1  
Type  
Number  
VZ @ IZT  
IZT  
ZZT @ IZT ZZK @ IZK  
IZK  
IR  
@VR  
Nom (V) Min (V)  
2.8  
Max (V)  
3.2  
mA  
5
mA  
1
V
1
Min  
-3.5  
Max  
0
A
BZX84C3V0W  
3
95  
600  
20  
*1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
*2. f = 1KHz.  
Marking  
Marking  
KRD  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
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4008-318-123  

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