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BZX84C36

更新时间: 2024-10-30 09:06:23
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江苏长电/长晶 - CJ 二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
Plastic-Encapsulate Diode

BZX84C36 数据手册

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diode  
BZX84C2V4 - BZX84C51  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.05  
0.61  
2.05  
3.05  
0.15  
1.10  
0.61  
0.178  
A
0.37  
1.19  
2.10  
0.89  
0.45  
1.78  
2.65  
0.013  
0.89  
0.45  
0.076  
B
C
Features  
B
C
D
·
·
·
·
Planar Die Construction  
E
TOP VIEW  
350mW Power Dissipation  
G
H
D
G
E
Zener Voltages from 2.4V - 51V  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Processes  
H
J
K
M
K
L
J
M
L
MAKING see table on page 2 the first code  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
0.9  
Unit  
V
Forward Voltage  
@ IF = 10mA  
VF  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
350  
mW  
K/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
357  
-65 to +150  
Notes:  
1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.  
2. Tested with pulses, 300ms pulse width, period = 5ms.  
3. f = 1KHz.  
DS18001 Rev. P-2  
1 of 3  
BZX84C2V4 - BZX84C51  

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