5秒后页面跳转
BZX84C30-V PDF预览

BZX84C30-V

更新时间: 2024-11-30 06:45:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 452K
描述
Small Signal Zener Diodes

BZX84C30-V 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:30 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40最大电压容差:5%
工作测试电流:2 mABase Number Matches:1

BZX84C30-V 数据手册

 浏览型号BZX84C30-V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZX84C30-V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZX84C30-V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZX84C30-V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZX84C30-V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZX84C30-V的Datasheet PDF文件第7页 
BZX84-V-Series  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• These diodes are also available in other  
case styles and other configurations  
including: the SOD-123 case with type  
designation BZT52 series, the dual zener  
3
e3  
diode common anode configuration in the SOT-23  
case with type designation AZ23 series and the  
dual zener diode common cathode configuration  
in the SOT-23 case with type designation DZ23  
series.  
1
2
18078  
• The Zener voltages are graded according to the  
international E 24 standard. Standard Zener volt-  
age tolerance is 5 ꢀ. Replace "C" with "B" for  
2 ꢀ tolerance.  
Mechanical Data  
Case: SOT-23 Plastic case  
Weight: approx. 8.8 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box  
• Silicon Planar Power Zener Diodes  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Power dissipation  
Test condition  
Symbol  
Ptot  
Value  
300 1)  
Unit  
mW  
1) Device on fiberglass substrate, see layout.  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
Unit  
420 1)  
150  
Thermal resistance junction to ambient air  
°C/W  
Junction temperature  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature range  
TS  
- 65 to + 150  
1) Device on fiberglass substrate, see layout.  
Document Number 85763  
Rev. 1.7, 14-Jul-05  
www.vishay.com  
1

与BZX84C30-V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZX84C30-V-G VISHAY

获取价格

Small Signal Zener Diodes
BZX84C30-VGS08 VISHAY

获取价格

DIODE 30 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTI
BZX84C30-VGS18 VISHAY

获取价格

DIODE 30 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTI
BZX84C30VL ROHM

获取价格

Zener Diode
BZX84C30VLFH ROHM

获取价格

Zener Diode
BZX84C30VLFHT116 ROHM

获取价格

Zener Diode,
BZX84C30VLT116 ROHM

获取价格

Zener Diode,
BZX84C30VLY ROHM

获取价格

BZX84C30VLY是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23封装
BZX84C30VLYFH ROHM

获取价格

BZX84C30VLYFH是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23
BZX84C30V-T RECTRON

获取价格

Zener Diode,