BZX84C30

更新时间： 2024-11-28 09:06:19

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江苏长电/长晶 - CJ		二极管测试光电二极管 PC
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Plastic-Encapsulate Diode

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BZX84C30 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diode

BZX84C2V4 - BZX84C51

SOT-23

Min

Dim

Max

0.51

1.40

2.50

1.05

0.61

2.05

3.05

0.15

1.10

0.61

0.178

0.37

1.19

2.10

0.89

0.45

1.78

2.65

0.013

0.89

0.45

0.076

Features

Planar Die Construction

TOP VIEW

350mW Power Dissipation

Zener Voltages from 2.4V - 51V

Ideally Suited for Automated Assembly

Processes

MAKING see table on page 2 the first code

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Symbol

Maximum Ratings

Characteristic

Value

0.9

Unit

Forward Voltage

@ I_F= 10mA

V_F

P_d

Power Dissipation (Note 1)

350

K/W

°C

R_qJA

T_j,T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

357

-65 to +150

Notes:

1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.

2. Tested with pulses, 300ms pulse width, period = 5ms.

3. f = 1KHz.

DS18001 Rev. P-2

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BZX84C2V4 - BZX84C51

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