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BZX84C12

更新时间： 2024-02-11 00:14:48

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TYSEMI		二极管测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	114K
描述
Planar Die Construction, 350mW Power Dissipation

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BZX84C12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.13	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	25 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	12 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX84C12 数据手册

Product specification

BZX84C16

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Planar Die Construction

350mW Power Dissipation

Ideally Suited for Automated Assembly Processes

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Forward Voltage at I^F= 10 mA

Power Dissipation *

Symbol

V^F

Rating

0.9

Unit

P^D

350

Junction Temperature

T^j

150

Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Ambient Air *

T^S

-65 to + 150

417

R^thA

*Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout,

Electrical Characteristics Ta = 25 (unless otherwise noted)

Typical Temperature

Coefficient

@ I^ZT

Maximum

Reverse

Current

Zener Voltage

Maximum Zener

Impedance

Range

Type

mV/

Number

Z^ZT@

V^Z@ IZT

Z^ZK@ IZK

IZT

I^ZT

Min

Max

Nom (V)

Min (V) Max (V)

5.0

1.0

BZX84C16

15.3

17.1

200

0.1

11.2

10.4

*1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

*2. f = 1KHz.

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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