BZX84C12

更新时间： 2024-01-27 20:29:10

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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5页	73K
描述
350 mW Surface Mount Zener Diodes

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BZX84C12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.13	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	25 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	12 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX84C12 数据手册

BZX84C2V7–BZX84C51

Vishay Telefunken

350 mW Surface Mount Zener Diodes

Features

Planar die construction

350 mW Power dissipation

Zener voltages from 2.7V – 51V

Ideally suited for automated assembly processes

94 8550

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

on ceramic substrate

10mm x 8mm x 0.7mm

Symbol

Value

350

Unit

Zener current (see figures 1–3 below)

Junction and storage

temperature range

T =T

–55...+150

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

on ceramic substrate 10mm x 8mm x 0.7mm

Symbol

thJA

Value

420

Unit

K/W

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward Voltage

Test Conditions

I =10 mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

0.9

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85606

Rev. 1, 01-Apr-99

1 (5)

12 3 4 5

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BZX84C12 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BZX84C18	DIOTEC	功能相似	Surface mount Silicon Planar Zener Diodes

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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