BZX84B16-TP

更新时间： 2024-09-25 11:56:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
6页	299K
描述
Silicon 350 mWatt Zener Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZX84B16-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.1	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	40 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	16 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX84B16-TP 数据手册

BZX84C2V4

THRU

BZX84C(B)51

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Silicon

Features

ꢀ

Planar Die construction

350 mWatt

Zener Diodes

350mW Power Dissipation

Zener Voltages from 2.4V - 51V

Ideally Suited for Automated Assembly Processes

Mechanical Data

SOT-23

ꢀ

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

ꢀ

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Weight: 0.008 grams (approx.)

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Maximum Forward

Voltage@IF=10mA

Power Dissipation

(NoteA)

Operation And

Storage

Temperature

V_F

0.9

P_(AV)

350

mWatt

DIMENSIONS

T_J, T_STG-55^oC to

+150^oC

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Peak Forward Surge

Current(NoteB)

2.0

FSM

Thermal Resistance

(Note C)

357

Rthja

C/W

.085

.37

.007

.020

.20

.50

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or

equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per

minute maximum.

C. Valid provided the terminals are kept at ambient

temperature

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

.035

.900

.079

2.000

inches

*Pin Configuration - Top View

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: 13

2009/04/09

1 of 6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与BZX84B16-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZX84B16-TP-HF	MCC	获取价格	Zener Diode,
BZX84B16TR13	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 16V V(Z), 2%, 0.35W,
BZX84B16TR13PBFREE	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 16V V(Z), 2%, 0.35W,
BZX84B16TRL	NXP	获取价格	16V, 0.35W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZX84-B16TRL	NXP	获取价格	16V, 0.35W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZX84B16TRL13	YAGEO	获取价格	Zener Diode, 16V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
BZX84B16TRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 16V V(Z), 2%, 0.35W,
BZX84B16V	RECTRON	获取价格	Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMT/SMD;Zener Voltage Vz (V) : 16 V;Zener Current
BZX84B16-V	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes
BZX84B16-V-G	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes

与BZX84B16-TP相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

6
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZX84B16-TP

BZX84B16-TP 技术参数

BZX84B16-TP 数据手册

与BZX84B16-TP相关器件

与BZX84B16-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZX84B16-TP

BZX84B16-TP 技术参数

BZX84B16-TP 数据手册

与BZX84B16-TP相关器件

与BZX84B16-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？