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BZX784B7V5

更新时间: 2024-02-09 20:27:31
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JCST 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1757K
描述
ZENER DIODE

BZX784B7V5 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
最大正向电压 (VF):0.9 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
膝阻抗最大值:80 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.1 W标称参考电压:7.5 V
最大反向电流:1 µA反向测试电压:5 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
电压温度Coeff-Max:5.3 mV/ °C最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX784B7V5 数据手册

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOD-723 Plastic-Encapsulate Diode  
SOD-723  
BZX784B2V4-BZX784B39 ZENER DIODE  
FEATURES  
z
z
z
Planar Die Construction  
100mW Power Dissipation  
Zener Voltages from 2.4 – 39V  
Maximum Ratings @TA=25unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VF  
Value  
0.9  
Unit  
V
Forward Voltage  
@IF=10mA  
Power Dissipation (Note 1)  
Pd  
100  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
R
θJA  
/W  
1250  
150  
Junction Temperature  
T
j
Storage Temperature Range  
T
-55 ~ +150  
stg  
www.cj-elec.com  
1
E,Apr,2015  

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