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BZX585-B20

更新时间: 2024-11-28 11:10:07
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 301K
描述
Voltage regulator diodesProduction

BZX585-B20 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.77配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
标称参考电压:20 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX585-B20 数据手册

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BZX585 series  
Voltage regulator diodes  
Rev. 6 — 4 December 2020  
Product data sheet  
1. General description  
General-purpose Zener diodes in an SOD523 (SC-79) ultra small flat lead Surface-Mounted Device  
(SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Non-repetitive peak reverse power dissipation: ≤ 40 W  
Total power dissipation: ≤ 300 mW  
Wide working voltage range: nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)  
Two tolerance series: ± 2 % and ± 5 %  
Low differential resistance  
AEC-Q101 qualified  
3. Applications  
General regulation functions  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
VF  
Parameter  
Conditions  
Min  
[1] -  
Typ  
Max  
1.1  
40  
Unit  
V
forward voltage  
IF = 100 mA  
-
-
PZSM  
non-repetitive peak reverse power  
dissipation  
[2] -  
W
[1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02  
[2] tp = 100 µs; square wave; Tj = 25 °C before surge  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode[1]  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
A
A
K
2
1
2
006aaa152  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
 
 
 
 
 
 

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