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BZX55C6V2

更新时间： 2024-01-06 08:42:42

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3页	150K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZX55C6V2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.19
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	10 Ω	JEDEC-95代码：	DO-204AH
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	6.2 V	最大反向电流：	0.1 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C6V2 数据手册

BZX55 ...

SILICON PLANAR ZENER DIODES

Features

Silicon Planar Zener Diodes

The Zener voltages are graded according to the international

E 24 standard. Other voltage tolerances and higher Zener

voltages on request.

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Min.

Max.

0.154

0.075

0.020

Min.

Max.

3.9

1.9

0.52

1.083

27.50

Absolute Maximum Ratings (T_a=25

)

Symbols

Values

Units

Zener current see Table "Characteristics"

Power dissipation at T_amb=25

Junction temperature

P_tot

T_j

500

175

Storage temperature range

T_S

-55 to +175

Note:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Characteristics ^atT_amb=25

Symbols

R_thA

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal resistance

0.3

K/mW

junction to ambient Air

Forward voltage at I_F=100mA

V_F

1.0

Note:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

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