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BZX55C47/TAP PDF预览

BZX55C47/TAP

更新时间： 2024-01-27 16:19:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 102K
描述
DIODE 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

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BZX55C47/TAP 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-35包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：1.46其他特性：LOW NOISE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：110 ΩJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
参考标准：AEC-Q101标称参考电压：47 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：6.38%
工作测试电流：2.5 mABase Number Matches：1

BZX55C47/TAP 数据手册

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BZX55-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Zener Diodes  
FEATURES  
• Very sharp reverse characteristic  
• Low reverse current level  
• Very high stability  
• Low noise  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Voltage stabilization  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VZ specification  
Int. construction  
VALUE  
2.4 to 75  
2.5; 5  
UNIT  
V
mA  
Pulse current  
Single  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS PER REEL  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BZX55-series  
BZX55-series-TR  
10 000 per 13" reel  
30 000/box  
10 000 per ammopack  
(52 mm tape)  
BZX55-series  
BZX55-series-TAP  
30 000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY  
SOLDERING  
CONDITIONS  
PACKAGE NAME  
WEIGHT  
125 mg  
FLAMMABILITY RATING  
LEVEL  
MSL level 1  
DO-35  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
(according J-STD-020)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
mW  
mA  
K/W  
°C  
Power dissipation  
l = 4 mm, TL = 25 °C  
Ptot  
IZ  
500  
Ptot/VZ  
300  
Zener current  
Junction to ambient air  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Forward voltage (max.)  
l = 4 mm, TL = constant  
RthJA  
Tj  
175  
Tstg  
VF  
- 65 to + 175  
1.5  
°C  
IF = 200 mA  
V
Rev. 1.7, 25-Nov-11  
Document Number: 85604  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BZX55C47/TR VISHAY DIODE 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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