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BZX55C3V0

更新时间： 2024-01-06 02:37:21

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4页	119K
描述
0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZX55C3V0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	85 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.67%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX55C3V0 数据手册

BZX55-C0V8 THRU BZX55-C200

CHENYI ELECTRONICS

0.5W SILICON PLANAR ZENER DIODES

FEATURES

. The zener voltage are graded according to the international E24

standard .Other voltage tolerance and higher zener voltage

on request.

MECHANICAL DATA

. Case: DO-35 glass case

. Polarity: Color band denotes cathode end

. Weight: Approx. 0.13gram

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(LIMITING VALUES)(TA=25

)

Symbols

Units

Value

Zener current see table "Characteristics"

Power dissipation at TA=50

Junction temperature

Ptot

5001)

175

Storage temperature range

TSTG

-65 to + 175

1)Valid provided that at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25

)

Symbols

Min.

Typ.

Max.

3001)

Units

K/W

Thermal resistance junction to ambient

Forward voltage at IF=100mA

1)Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature

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