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BZX55C150

更新时间： 2024-02-06 13:35:31

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描述
AXIAL SILASTIC GUARD JUNCTION STANDARD RECTIFIER

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BZX55C150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	1200 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	150 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	1 mA

BZX55C150 数据手册

AXIAL SILASTIC GUARD JUNCTION STANDARD RECTIFIER

BZX55C

Max. 0.5

Max. 0.45

SILICON PLANAR ZENER DIODES

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 2.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

Black

Cathode Band

The Zener voltages are graded according

to the international E24 standard.

Other tolerances and higher Zener voltages

are upon request.

Black

Part No.

XXX

Glass Case DO-34

Dimensions in mm

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

500 ¹⁾

Unit

Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

175

Storage Temperature Range

T_S

- 55 to + 175

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_thA

Max.

0.3 ¹⁾

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

K/mW

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

V_F

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Web Site:

WWW.PS-PFS.COM

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