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BZX55C11

更新时间： 2024-01-16 06:03:52

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星合电子 - GXELECTRONICS		二极管齐纳二极管测试
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3页	102K
描述
Silicon Planar Zener Diodes

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BZX55C11 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	20 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	11 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.45%	工作测试电流：	5 mA

BZX55C11 数据手册

BZX55C

Silicon Planar Zener Diodes

The Zener voltages are graded according to the

international E24 standard. Other tolerances and

higher Zener voltages are upon request.

Max. 0.5

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Black

Cathode Band

Black

Part No.

XXX

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

500 ¹⁾

Unit

Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

175

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 175

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_thA

Max.

0.3 ¹⁾

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

K/mW

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

V_F

¹⁾Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

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BZX55C11/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2
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