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BZX55C11

更新时间： 2024-02-10 12:31:42

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美台 - DIODES		二极管齐纳二极管测试
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3页	170K
描述
500mW ZENER DIODE

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BZX55C11 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	20 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	11 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.45%	工作测试电流：	5 mA

BZX55C11 数据手册

BZX55C2V4 - BZX55C75

500mW ZENER DIODE

SIG

T R

Features

- 1

E 1

Very Sharp Reverse Characteristic

Low Reverse Current Level

Very High Stability

Low Noise

Mechanical Data

DO-35

Min

25.40

—

Dim

Max

—

Case: DO-35, Glass

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

4.00

0.60

2.00

—

Polarity: Cathode Band

Approx. Weight: 0.13 grams

—

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

500

Unit

K/W

Test Condition

Lead length = 4.0mm, T_L= 25°C

P_d

I_Z

Power Dissipation

P_d/V_Z

300

Zener Current

Lead length = 4.0mm, T_L= constant

I_F= 200mA

qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Forward Voltage

V_F

1.5

T_j,T_STG

-65 to +175

°C

Operating and Storage Temperature Range

DS18013 Rev. 3 - 3

1 of 3

BZX55C2V4-BZX55C75

12 3

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BZX55-C11/A52R	NXP	获取价格	11V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS
BZX55C11/TAP	VISHAY	获取价格	DIODE 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2
BZX55C11/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2
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