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BZX55

更新时间： 2024-01-24 13:09:45

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4页	159K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZX55 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	5%
Base Number Matches：	1

BZX55 数据手册

0.5W SILIC O N PLANAR ZENER DIO DES

DO-35

S E M I C O N D U C T O R

FEATURES

Thezenervoltage aregradedaccording to the internationalE24

standard.Other voltage toleranceandhigherzenervoltage

on request

1.083(27.5)

MIN

0.079(2.0)

MAX

DIA

0.150(3.8)

MAX

M ECHANIC ALDATA

Case:DO-35glasscase

1.083(27.5)

MIN

Polarity:C olorbanddenotescathode end

W eight:Approx.0.13 gram

0.020(0.52)

MAX

DIA

Dim ensionsininchesand (m illimeters)

ABSO LUTE M AXIM UM RATING S(LIM ITING VALUES)(T

= 2 5 C )

Zenercurrentsee table "Characteristics"

500¹⁾

175

Powerdissipation atT

Junction tem perature

A=50 C

m W

tot

Storage tem perature range

-65 to+175

STG

1)Valid provided thata distanceof8m m from case are keptatambienttem perature

ELEC TRIC ALC HARAC TERISTIC S(TA= 2 5 C )

300¹⁾

1.0

Therm alresistance junction to am bientair

Forward voltage atI=100mA

K/W

1)Valid provided thata distanceof8m m from case are keptatambienttem perature

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