Datasheet > 二极管 > 稳压二极管> BZX384B8V2-V-GS18

BZX384B8V2-V-GS18

更新时间： 2024-11-25 03:52:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		测试光电二极管稳压二极管
页数	文件大小	规格书
8页	100K
描述
DIODE 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZX384B8V2-V-GS18 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	8.2 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX384B8V2-V-GS18 数据手册

浏览型号BZX384B8V2-V-GS18的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号BZX384B8V2-V-GS18的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号BZX384B8V2-V-GS18的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号BZX384B8V2-V-GS18的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号BZX384B8V2-V-GS18的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号BZX384B8V2-V-GS18的Datasheet PDF文件第7页

BZX384-V-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes

• The Zener voltages are graded according to the

international E 24 standard

• Standard Zener voltage tolerance is

replace “C” with “B” for 2 ꢀ tolerance

5 ꢀ%

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

PRIMARY CHARACTERISTICS

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

2.4 to 75

2% 5

UNIT

Pulse current

Single

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

BZX384-V-series-GS18

BZX384-V-series-GS08

TAPED UNITS PER REEL

10 000 (8 mm tape on 13" reel)

3000 (8 mm tape on 7" reel)

MINIMUM ORDER QUANTITY

10 000/box

BZX384-V-series

15 000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

4.3 mg

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

SOD-323

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

(according J-STD-020)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Power dissipation

Device on fiberglass substrate

P_tot

200

650

Valid that electrodes are kept at ambient

temperature

Junction to ambient air

R_thJA

K/W

T_j

Junction temperature

150

°C

T_stg

Storage temperature range

- 65 to + 150

Rev. 1.8, 22-Nov-11

Document Number: 85764

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

BZX384B8V2-V-GS18 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BZX384B8V2-V-GS08	VISHAY	完全替代	DIODE 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLAST
BZX384B8V2	VISHAY	功能相似	Small Signal Zener Diodes
BZX384B8V2-V	VISHAY	功能相似	Small Signal Zener Diodes

与BZX384B8V2-V-GS18相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZX384B9V1	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes
BZX384-B9V1	VISHAY	获取价格	BZX384
BZX384-B9V1	NXP	获取价格	Voltage regulator diodes
BZX384-B9V1	NEXPERIA	获取价格	Voltage regulator diodesProduction
BZX384-B9V1D5	VISHAY	获取价格	DIODE 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Voltag
BZX384B9V1-D5	VISHAY	获取价格	DIODE 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Vo
BZX384-B9V1D6	VISHAY	获取价格	DIODE 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Voltag
BZX384-B9V1-D6	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC, SO-2
BZX384B9V1-D6	VISHAY	获取价格	DIODE 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Vo
BZX384B9V1-E3-08	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE

与BZX384B8V2-V-GS18相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZX384B8V2-V-GS18

BZX384B8V2-V-GS18 技术参数

BZX384B8V2-V-GS18 数据手册

BZX384B8V2-V-GS18 替代型号

与BZX384B8V2-V-GS18相关器件

与BZX384B8V2-V-GS18相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZX384B8V2-V-GS18

BZX384B8V2-V-GS18 技术参数

BZX384B8V2-V-GS18 数据手册

BZX384B8V2-V-GS18 替代型号

与BZX384B8V2-V-GS18相关器件

与BZX384B8V2-V-GS18相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？