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Datasheet > 二极管 > 稳压二极管> BZX384B5V1
BZX384B5V1 PDF预览

BZX384B5V1

更新时间： 2024-11-10 12:29:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 113K
描述
Small Signal Zener Diodes

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BZX384B5V1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.38Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：60 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：5.1 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最大电压容差：2%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZX384B5V1 数据手册

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BZX384-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Zener Diodes  
FEATURES  
• Silicon planar Zener diodes  
• The Zener voltages are graded according to the  
international E24 standard  
• Standard Zener voltage tolerance is  
replace “C” with “B” for 2 ꢀ tolerance  
5 ꢀ%  
• AEC-Q101 qualified  
• ESD capability according to AEC-Q101:  
Human body model > 8 kV  
Machine model > 800 V  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VZ specification  
Int. construction  
VALUE  
2.4 to 75  
2% 5  
UNIT  
V
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
mA  
Pulse current  
Single  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS PER REEL  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BZX384C2V4-E3-08 to BZX384C75-E3-08  
BZX384B2V4-E3-08 to BZX384B75-E3-08  
BZX384C2V4-HE3-08 to BZX384C75-HE3-08  
BZX384B2V4-HE3-08 to BZX384B75-HE3-08  
BZX384C2V4-E3-18 to BZX384C75-E3-18  
BZX384B2V4-E3-18 to BZX384B75-E3-18  
BZX384C2V4-HE3-18 to BZX384C75-HE3-18  
BZX384B2V4-HE3-18 to BZX384B75-HE3-18  
3000 (8 mm tape on 7" reel)  
15 000/box  
BZX384-series  
10 000 (8 mm tape on 13" reel)  
10 000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND  
WEIGHT  
MOISTURE SENSITIVITY  
LEVEL  
PACKAGE NAME  
SOLDERING CONDITIONS  
FLAMMABILITY RATING  
MSL level 1  
(according J-STD-020)  
SOD-323  
4.3 mg  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
200  
UNIT  
mW  
K/W  
°C  
Power dissipation  
Device on fiberglass substrate  
Ptot  
RthJA  
Tj  
Thermal resistance junction to ambient air Valid that electrodes are kept at ambient temperature  
650  
Junction temperature  
150  
Tstg  
Top  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
- 65 to + 150  
- 55 to + 150  
°C  
°C  
Rev. 1.9, 08-May-13  
Document Number: 85764  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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BZX384B5V1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BZX384-B5V1D5 VISHAY

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 		DIODE 5.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Voltag
BZX384B5V1-D5 VISHAY

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 		DIODE 5.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Vo
BZX384-B5V1D6 VISHAY

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 		DIODE 5.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Voltag
BZX384-B5V1-D6 VISHAY

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 		Zener Diode, 5.1V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC, SO-2
BZX384B5V1-D6 VISHAY

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 		DIODE 5.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-2, Vo
BZX384B5V1-E3-08 VISHAY

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