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BZW04P7V8B

更新时间： 2024-09-21 20:19:27

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管电视
页数	文件大小	规格书
1页	38K
描述
400W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

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BZW04P7V8B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	10 V	最小击穿电压：	8.65 V
击穿电压标称值：	9.1 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	17.1 V	配置：	SINGLE
最小二极管电容：	1150 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.7 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	7.8 V	最大反向电流：	50 µA
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZW04P7V8B/100	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/4E	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/4F	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/4G	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/4H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 7.78V V(RWM), Bidirectional,
BZW04P7V8B/53	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/54	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 7.78V V(RWM), Bidirectional,
BZW04P7V8B/56	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P7V8B/58	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-