BZV55C10BS

更新时间： 2024-11-15 06:45:03

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODE

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BZV55C10BS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.16
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5.69%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZV55C10BS 数据手册

BZV55C-BS

SERIES

4.7V to 36V

SILICON PLANAR ZENER DIODE

FEATURES

Zener Voltage Range 4.7 to 36 Volts

LL-34 (Mini-MELF) Package

Hermetically Sealed, Glass Silicon Diodes

SOD-80C

.059(1.50)

.056(1.42)

R.004(0.10)

.112(0.30)

.146(3.70)

.130(3.30)

.057(1.45)

.053(1.35)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

RATINGS

SYMBOL

VALUE

250

UNITS

Average Forward Current (averaged Over any 20 ms period)

Repetitive Peak Forward Current

F(av)

250

FRM

=50^OC

500

Total Power Dissipation up to T

flange

tot

Up to Ta=50 C and Mounted on a Ceramic Substrate of 10mm x 10

400

tot

mm x 0.6mm

Non-Reperitive Peak Reverse Power Dissipation t=100us,T =150^OC

ZSM

-65 to +200

^OC

Storage Temperature

stg

^OC

Junction Temperature

200

THERMAL RESISTANCE

0.30

0.38

Rth(j-tp)

Rth(j-a)

K/mW

From Junction to tie-point(flanges)

Form Junction to Ambient when Mounted on a Ceramic Substrate of

10mm x 10mm x 0.6mm

VD 2007-11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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