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BZV55-B8V2112

更新时间: 2024-11-24 13:49:23
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 213K
描述
8.2V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55-B8V2112 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.3
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
最大反向电流:0.7 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
电压温度Coeff-Max:6.2 mV/ °C最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZV55-B8V2112 数据手册

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