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BZV55-B68112

更新时间: 2024-02-20 19:38:30
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 210K
描述
68V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55-B68112 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.46外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:68 V
最大反向电流:0.05 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:40电压温度Coeff-Max:79.8 mV/ °C
最大电压容差:2%工作测试电流:2 mA

BZV55-B68112 数据手册

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