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BZV55-B16

更新时间: 2024-11-12 22:06:23
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恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
12页 62K
描述
Voltage regulator diodes

BZV55-B16 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.26外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:40 Ω
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:16 V最大反向电流:0.05 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:30电压温度Coeff-Max:14 mV/ °C
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZV55-B16 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZV55 series  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2002 Feb 28  
Supersedes data of 1999 May 21  

BZV55-B16 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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