BZT52H-C27

更新时间： 2024-11-14 03:02:55

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恩智浦 - NXP		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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描述
Single Zener diodes in a SOD123F package

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BZT52H-C27 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	250 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.375 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	27 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
最大电压容差：	7.04%	工作测试电流：	2 mA
Base Number Matches：	1

BZT52H-C27 数据手册

BZT52H series

Single Zener diodes in a SOD123F package

Rev. 01 — 22 December 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

General-purpose Zener diodes in a SOD123F small and ﬂat lead Surface Mounted Device

(SMD) plastic package.

1.2 Features

■ Total power dissipation: ≤ 830 mW

■ Small plastic package suitable for

surface mounted design

■ Wide working voltage range: nominal

■ Low differential resistance

2.4 V to 75 V (E24 range)

1.3 Applications

■ General regulation functions

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

V_F

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

0.9

Unit

[1]

[2]

[3]

forward voltage

I_F= 10 mA

P_tot

total power dissipation

_amb≤ 25 °C

375

830

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm².

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