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Datasheet > 二极管 > 稳压二极管> BZT52C12-V-GS18
BZT52C12-V-GS18 PDF预览

BZT52C12-V-GS18

更新时间： 2024-11-29 12:52:39
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威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 133K
描述
Small Signal Zener Diodes

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BZT52C12-V-GS18 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.09Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：90 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.41 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：12 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10最大电压容差：5.39%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52C12-V-GS18 数据手册

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BZT52-V-Series  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Silicon planar power zener diodes  
• These diodes are also available in other  
case styles and other configurations  
including: the SOT-23 case with type  
designation BZX84 series, the dual zener  
diode common anode configuration in the  
SOT-23 case with type designation AZ23  
series and the dual zener diode common cathode  
configuration in the SOT-23 case with type  
designation DZ23 series.  
17431  
• The zener voltages are graded according to the  
international E 24 standard.  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
Mechanical Data  
Case: SOD-123  
Weight: approx. 10.3 mg  
Packaging codes/options:  
GS18/10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08/3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
Zener current see table  
" Characteristics "  
500 2)  
410 1)  
Ptot  
Ptot  
Power dissipation  
Power dissipation  
mW  
mW  
1) Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm2 pad areas  
2) Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm2 pad areas  
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
300 1)  
Unit  
Thermal resistance junction to  
ambient air  
°C/W  
TJ  
Junction temperature  
150  
°C  
°C  
TS  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Document Number 85760  
www.vishay.com  
1
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
Rev. 1.6, 26-Aug-10  
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BZT52C12-V-GS18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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