Datasheet > BZT52B5V6-V-G

BZT52B5V6-V-G

更新时间： 2024-01-18 02:45:58

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	108K
描述
DIODE 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT52B5V6-V-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	5.6 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	1.96%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZT52B5V6-V-G 数据手册

BZT52-V-G-Series

Vishay Semiconductors

Small Signal Zener Diodes

Features

• Silicon planar power zener diodes

• These diodes are also available in other

case styles and other configurations

including: the SOT-23 case with type

designation BZX84 series, the dual zener

diode common anode configuration in the

SOT-23 case with type designation AZ23

series and the dual zener diode common

cathode configuration in the SOT-23 case with

type designation DZ23 series.

17431

• The zener voltages are graded according to the

international E 24 standard.

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Mechanical Data

Case: SOD-123

Weight: approx. 9.4 mg

Packaging codes/options:

18/10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box

08/3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Value

Unit

Zener current see table

" Characteristics "

500 ²⁾

410 ¹⁾

P_tot

Power dissipation

¹⁾Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm²pad areas

²⁾Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm²pad areas

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

300 ¹⁾

Unit

Thermal resistance junction to

ambient air

°C/W

T_J

Junction temperature

150

°C

T_S

Storage temperature range

- 65 to + 150

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

** Please see document “Vishay Material Category Policy”: www.vishay.com/doc?99902

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

Document Number 83340

Rev. 1.1, 26-Aug-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与BZT52B5V6-V-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT52B5V6-V-G08	VISHAY	获取价格	DIODE 5.6 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Vol
BZT52B5V6-V-G18	VISHAY	获取价格	DIODE 5.6 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Vol
BZT52-B5V6X	ETC	获取价格	DIODE ZENER 5.6V 590MW SOD123
BZT52-B5V8S	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
BZT52-B5V8S-AU	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
BZT52B62	TSC	获取价格	500mW, 2% Tolerance SMD Zener Diode
BZT52B62	TAYCHIPST	获取价格	Small Signal Diode
BZT52B62	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes
BZT52B62	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
BZT52B62	YANGJIE	获取价格	SOD-123

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZT52B5V6-V-G

BZT52B5V6-V-G 技术参数

BZT52B5V6-V-G 数据手册

与BZT52B5V6-V-G相关器件

与BZT52B5V6-V-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZT52B5V6-V-G

BZT52B5V6-V-G 技术参数

BZT52B5V6-V-G 数据手册

与BZT52B5V6-V-G相关器件

与BZT52B5V6-V-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？