BZT52B30-V-G

更新时间： 2024-02-27 18:02:01

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威世 - VISHAY		稳压二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
8页	121K
描述
DIODE 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

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BZT52B30-V-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BZT52B30-V-G 数据手册

BZT52-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar Zener diodes

• The Zener voltages are graded according to the

international E24 standard

• AEC-Q101 qualified

• ESD capability according to AEC-Q101:

Human body model > 8 kV

Machine model > 800 V

• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

PRIMARY CHARACTERISTICS

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

2.4 to 75

2.5; 5

UNIT

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

Pulse current

Single

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

TAPED UNITS PER REEL

MINIMUM ORDER QUANTITY

BZT52C2V4-E3-08 to BZT52C75-E3-08

BZT52B2V4-E3-08 to BZT52B75-E3-08

BZT52C2V4-HE3-08 to BZT52C75-HE3-08

BZT52B2V4-HE3-08 to BZT52B75-HE3-08

BZT52C2V4-E3-18 to BZT52C75-E3-18

BZT52B2V4-E3-18 to BZT52B75-E3-18

BZT52C2V4-HE3-18 to BZT52C75-HE3-18

BZT52B2V4-HE3-18 to BZT52B75-HE3-18

3000 (8 mm tape on 7" reel)

15 000/box

BZT52-series

10 000 (8 mm tape on 13" reel)

10 000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND

WEIGHT

MOISTURE SENSITIVITY

LEVEL

PACKAGE NAME

SOLDERING CONDITIONS

FLAMMABILITY RATING

MSL level 1

(according J-STD-020)

SOD-123

10.3 mg

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm²

pad areas

Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm²

pad areas

P_tot

500

Power dissipation

P_tot

410

Zener current

See table “Electrical Characteristics “

Valid provided that electrodes are kept at

ambient temperature

Thermal resistance junction to ambient air

R_thJA

300

K/W

T_j

Junction temperature

150

°C

T_stg

T_op

Storage temperature range

Operating temperature range

- 65 to + 150

- 55 to + 150

Rev. 1.8, 26-Feb-13

Document Number: 85760

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与BZT52B30-V-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT52B30-V-G08	VISHAY	获取价格	DIODE 30 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Volt
BZT52B30-V-G18	VISHAY	获取价格	DIODE 30 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Volt
BZT52B30V-T	RECTRON	获取价格	Zener Diode,
BZT52B33	TSC	获取价格	500mW, 2% Tolerance SMD Zener Diode
BZT52B33	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes
BZT52B33	DIOTEC	获取价格	Surface mount Silicon Planar Zener Diodes
BZT52B33	TAYCHIPST	获取价格	Small Signal Diode
BZT52B33	WEITRON	获取价格	Surface Mount Zener Diodes
BZT52B33	YANGJIE	获取价格	Zener Diode, 33V V(Z), 2.06%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
BZT52B33	GOOD-ARK	获取价格	Zener Diode

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