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BZT52B2V4-G3-18

更新时间： 2024-01-22 23:38:18

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	130K
描述
Zener Diode, 2.4V V(Z), 2.08%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2

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BZT52B2V4-G3-18 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
标称参考电压：	2.4 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	2.08%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT52B2V4-G3-18 数据手册

BZT52-G-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes

• The Zener voltages are graded according to the

international E24 standard

• AEC-Q101 qualified

• ESD capability according to AEC-Q101:

Human body model > 8 kV

Machine model > 800 V

• Base P/N-G3 - green, commercial grade

• Material categorization:

For definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

2.4 to 75

2.5; 5

UNIT

Pulse current

Single

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

TAPED UNITS PER REEL

MINIMUM ORDER QUANTITY

BZT52C2V4-G3-08 to BZT52C75-G3-08

BZT52B2V4-G3-08 to BZT52B75-G3-08

BZT52C2V4-G3-18 to BZT52C75-G3-18

BZT52B2V4-G3-18 to BZT52B75-G3-18

3000 (8 mm tape on 7" reel)

15 000/box

10 000/box

BZT52-G-series

10 000 (8 mm tape on 13" reel)

PACKAGE

MOLDING COMPOUND

WEIGHT

MOISTURE SENSITIVITY

LEVEL

PACKAGE NAME

SOLDERING CONDITIONS

FLAMMABILITY RATING

MSL level 1

(according J-STD-020)

SOD-123

9.4 mg

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Diode on ceramic substrate 0.7 mm;

5 mm²pad areas

P_tot

500

Power dissipation

Diode on ceramic substrate 0.7 mm;

P_tot

410

2.5 mm²pad areas

Zener current

See Table “Electrical Characteristics”

Valid provided that electrodes are kept at

ambient temperature

Thermal resistance junction to ambient air

R_thJA

300

K/W

T_j

Junction temperature

150

°C

T_stg

T_op

Storage temperature range

Operating temperature range

- 65 to + 150

- 55 to + 150

Rev. 1.3, 27-Feb-13

Document Number: 83340

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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