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Datasheet > 二极管 > 稳压二极管> BZT52B10-V
BZT52B10-V PDF预览

BZT52B10-V

更新时间： 2024-09-24 06:44:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 262K
描述
Small Signal Zener Diodes

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BZT52B10-V 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.17Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：15 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.41 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：10 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最大电压容差：2%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52B10-V 数据手册

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BZT52-V-Series  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Silicon Planar Power Zener Diodes  
• These diodes are also available in other  
case styles and other configurations  
including: the SOT-23 case with type des-  
e3  
ignation BZX84 series, the dual zener diode com-  
mon anode configuration in the SOT-23 case with  
type designation AZ23 series and the dual zener  
diode common cathode configuration in the SOT-  
23 case with type designation DZ23 series.  
17431  
• The Zener voltages are graded according to the  
international E 24 standard.  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Mechanical Data  
Case: SOD-123 Plastic case  
Weight: approx. 9.3 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
Zener current see table "  
Characteristics "  
5002)  
4101)  
Power dissipation  
Power dissipation  
Ptot  
Ptot  
mW  
mW  
1) Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 2.5 mm2 pad areas  
2) Diode on ceramic substrate 0.7 mm; 5 mm2 pad areas  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
3001)  
Unit  
Thermal resistance junction to  
ambient air  
°C/W  
Junction temperature  
TJ  
150  
°C  
°C  
Storage temperature range  
TS  
- 65 to + 150  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Document Number 85760  
Rev. 1.5, 21-Apr-05  
www.vishay.com  
1
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与BZT52B10-V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZT52B10-V-G VISHAY

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 		DIODE 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Volta
BZT52B10-V-G08 VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Volt
BZT52B10-V-G18 VISHAY

获取价格

 		DIODE 10 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Volt
BZT52B10V-T RECTRON

获取价格

 		Zener Diode,
BZT52-B10X ETC

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 		DIODE ZENER 10V 590MW SOD123
BZT52B11 VISHAY

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 		Small Signal Zener Diodes
BZT52B11 WEITRON

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 		Surface Mount Zener Diodes
BZT52B11 TAYCHIPST

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 		Small Signal Diode
BZT52B11 YANGJIE

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 		Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
BZT52B11 GOOD-ARK

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 		Zener Diode

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