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BZT52-C22

更新时间： 2024-09-22 22:06:27

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强茂 - PANJIT		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
5页	84K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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BZT52-C22 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.57	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	220 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.41 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	22 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZT52-C22 数据手册

BZT52-C2V4 thru BZT52-C39

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

POWER

410 mWatts

VOLTAGE

2.4 to 39 Volts

FEATURES

• Planar Die construction

• 410mW Power Dissipation

• Zener Voltages from 2.4V - 39V

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-123, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

SOD-123

• Approx. Weight: 0.008 grams

• Mounting Position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation (Notes A) at 25^OC

Symbol

Value

410

Units

Amps

^OC

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)

2.0

IFSM

Operating Junction and StorageTemperature Range

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

Part Number: BZT52-C2V4 - BZT52-C39

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