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BZT52-B3V9

更新时间： 2024-01-17 02:31:31

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强茂 - PANJIT		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
4页	70K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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BZT52-B3V9 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.55
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	标称参考电压：	3.9 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	2.05%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZT52-B3V9 数据手册

BZT52-B2V4 SERIES

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

Unit: inch (mm)

SOD-123

POWER

VOLTAGE

410 mWatts

2.4 to 75 Volts

FEATURES

.154(3.90)

.141(3.60)

• Planar Die construction

• 410mW Power Dissipation

• Zener Voltages from 2.4~75V

.110(2.8)

.098(2.5)

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-123, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.01 grams

.016(.40)MIN

.005(.12)MAX

• Mounting Position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Maximum Power Dissipation (Notes A) at 25^OC

Operating Junction and StorageTemperature Range

Symbol

Value

410

Units

^OC

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

REV.0.2-OCT.1.2009

PAGE . 1

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与BZT52-B3V9相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT52-B3V9-AU	PANJIT	SOD-123	获取价格
BZT52B3V9BS	MCC	400 mW Zener Diode 3.0 to 51 Volts	获取价格
BZT52B3V9BS	YANGJIE	SOD-323	获取价格
BZT52-B3V9D3	VISHAY	DIODE 3.9 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Volta	获取价格
BZT52-B3V9-D3	VISHAY	Zener Diode, 3.9V V(Z), 2%, 0.41W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC, SO-2	获取价格
BZT52-B3V9D4	VISHAY	DIODE 3.9 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SO-2, Volta	获取价格