BZT03D18-TR

更新时间： 2024-01-11 03:35:20

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	70K
描述
Zener Diode, 18V V(Z), 10%, 1.3W,

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BZT03D18-TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	15 Ω
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	18 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差：	10%	Base Number Matches：	1

BZT03D18-TR 数据手册

BZT03D...

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Applications

94 9539

Medium power voltage regulators and

medium power transient suppression circuits

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=10mm, T =25 C

Type Symbol

Value

3.25

1.3

600

Unit

T =25 C

amb

Repetitive peak reverse power dissipation

Non repetitive peak surge power dissipation t =100 s, T =25 C

Junction temperature

ZRM

ZSM

175

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient l=10mm, T =constant

Test Conditions

Symbol

Value

100

Unit

K/W

thJA

on PC board with spacing 25mm

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.5A

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.2

Document Number 85600

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BZT03D200	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D200	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
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BZT03D200-TAP	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 200V V(Z), 10%, 1.3W,
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