BZM55C8.2BSB

更新时间： 2024-01-29 15:35:31

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODE

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BZM55C8.2BSB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2.06%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZM55C8.2BSB 数据手册

BZM55C-BS

SERIES

4.7V to 36V

SILICON PLANAR ZENER DIODE

FEATURES

Zener Voltage Range 4.7 to 36 Volts

LS-31 (Micro-melf) Glass Package

MICRO-MELF

(1.25)

(1.20)

.049

.047

DIA.

.010 (0.26)

.008 (0.21)

R > 2.5

Glass

)

.083 (2.10

.075 (1.90

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

RATINGS

SYMBOL

VALUE

500

UNITS

Power Dissipation @ R

Storage Temperature

Junction Temperature

< 300 ^OC/W

th (j-a)

-65 to +175

^OC

stg

^OC

175

THERMAL RESISTANCE

500

300

Rth(j-a)

Rth(j-l)

K / W

From Junction to Ambient in free air

Form Junction to Tie point (Note 1)

Notes: 1. 35 um copper clad, 0.9mm copper area per electrode.

VD 2007-11

2. "Fully RoHS Compliant", "100% Sn Plating (Pb-free)".

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