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BZM55C18

更新时间: 2024-11-07 12:21:23
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鲁光 - LGE 稳压二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 869K
描述
Zener Diodes

BZM55C18 技术参数

Case Style:MICRO MELFPd(W):0.5
VZ(Min):16.8VZ(Nom):18
VZ(Max):19.1IZT(mA):5.0
IR(uA):2VR(V):13
class:Diodes

BZM55C18 数据手册

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BZM55C Series  
Zener Diodes  
MINI-MELF  
Cathode indification  
Features  
—
Small surface mounting type  
High reliability  
—
±
0.4 0.1  
3.4 +0.3  
Applications  
-0.1  
Voltage stabilization  
—
Dimensions in millimeters  
Construction  
Silicon epitaxial planar  
—
Absolute Maximum Ratings  
Tj=25℃  
Parameter  
Power dissipation  
Z-current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
thJA300K/W  
Type  
Symbol  
Value  
500  
PV/VZ  
175  
-65~+175  
Unit  
mW  
mA  
R
PV  
IZ  
Tj  
Tstg  
Maximum Thermal Resistance  
Tj=25℃  
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
on PC board 50mm×50mm×1.6mm  
Symbol  
RthJA  
Value  
500  
Unit  
K/W  
Electrical Characteristics  
Tj=25℃  
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
IF=200mA  
Type  
Symbol Min  
VF  
Typ Max Unit  
1.5  
V
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  

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