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BZM55-C13

更新时间： 2024-01-19 21:48:45

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强茂 - PANJIT		二极管齐纳二极管测试
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3页	76K
描述
SURFACE MOUNT ZENER DIODES

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BZM55-C13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	26 Ω	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	13 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
Base Number Matches：	1

BZM55-C13 数据手册

DATA SHEET

BZM55-C2V4 SERIES

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

Unit : inch (mm)

MICRO-MELF

500 mWatts

POWER

VOLTAGE

2.4 to 47 Volts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MICRO-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

.008(0.2)

.043(1.1)

.008(0.2)

.079(2.0)

.071(1.8)

• Approx. Weight: 0.01 grams

• Mounting Position: Any

•

Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Value

Units

Power Dissipation at Tamb = 25 ^OC

500

175

TOT

Junction Temperature

^OC

Storage Temperature Range

-65 to +175

Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

0.3

K/mW

RthA

Forward Voltage at IF = 100mA

Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.

STAD-JAN.27.2004

PAGE . 1

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与BZM55-C13相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZM55C13-13	DIODES	Zener Diode, 13V V(Z), 6.42%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, MICRO	获取价格
BZM55C13BS	RECTRON	SILICON PLANAR ZENER DIODE	获取价格
BZM55C13BSA	RECTRON	SILICON PLANAR ZENER DIODE	获取价格
BZM55C13BSB	RECTRON	SILICON PLANAR ZENER DIODE	获取价格
BZM55C13BSC	RECTRON	SILICON PLANAR ZENER DIODE	获取价格
BZM55C13P	MCC	Zener Diode, 13V V(Z), 6.42%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2	获取价格