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BZG03C51

更新时间： 2024-01-04 23:01:01

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台芯 - TAYCHIPST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	1982K
描述
Silicon ZâDiodes

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BZG03C51 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	60 Ω
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散：	3 W
标称参考电压：	51 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差：	5.9%	Base Number Matches：	1

BZG03C51 数据手册

BZG03C Series

10V-270V 3.0A

Silicon Z–Diodes

FEATURES

•

High reliability

V to

Voltage range 10

Fits onto 5 mm SMD footpads

Wave and reflow solderable

•

Glass passivated junction

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO-214AC(SMA)

•

Terminals: Solderable per MIL-

STD-202,Method 208

•

Polarity: Color band denotes cathods end

Weight: 0.002 ounces, 0.064 grams

Mounting position: any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

BZG03C-series-TR

BZG03C-series-TR3

TAPED UNITS PER REEL MINIMUM ORDER QUANTITY

BZG03C-series

1500 (7" reel)

BZG03C-series

6000 (13" reel)

6000/box

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

3000

UNIT

R_thJA< 25 K/W, T_amb= 100 °C

R_thJA< 100 K/W, T_amb= 50 °C

P_tot

Power dissipation

P_tot

1250

Non repetitive peak surge power

dissipation

t_p= 100 μs sq.pulse, T_j= 25 °C

pior to surge

P_ZSM

R_thJL

R_thJA

600

Junction to lead

K/W

Mounted on epoxy-glass hard

tissue, fig. 1b

150

125

100

Junction to ambient air

Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1b

Mounted on Al-oxid-ceramic

(Al₂O₃), fig. 1b

T_j

T_stg

V_F

Junction temperature

150

- 65 to + 150

1.2

°C

Storage temperature range

Forward voltage (max.)

I_F= 0.5 A

1 of 2

E-mail: sales@taychipst.com

Web Site: www.taychipst.com

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