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BZD27C16P-GS18

更新时间： 2024-01-15 02:17:22
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 84K
描述
DIODE 16.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

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BZD27C16P-GS18 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-219AB包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.46配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-219ABJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：16 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：5.56%工作测试电流：25 mA
Base Number Matches：1

BZD27C16P-GS18 数据手册

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BZD27C3V6P to BZD27C200P  
Vishay Semiconductors  
Zener Diodes with Surge Current Specification  
Features  
• Sillicon planar zener diodes  
• Low profile surface-mount package  
• Zener and surge current specification  
• Low leakage current  
• Excellent stability  
• High temperature soldering: 260 °C/10 s  
at terminals  
17249  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
Mechanical Data  
Case: DO-219AB (SMF)  
Weight: approx. 15 mg  
Packaging codes/options:  
GS18/10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08/3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
TL = 80 °C  
Symbol  
Ptot  
Value  
2.3  
Unit  
W
Power dissipation  
0.8 1)  
300  
TA = 25 °C  
Ptot  
W
100 µs square pulse 2)  
10/1000 μs waveform (BZD27-C7V5P to BZD27-C100P) 2)  
10/1000 μs waveform (BZD27-C110P to BZD27-C200P) 2)  
PZSM  
PRSM  
PRSM  
W
W
W
Non-repetitive peak pulse power  
dissipation  
150  
100  
Notes  
1) Mounted on epoxy-glass PCB with 3 mm x 3 mm Cu pads (≥ 40 µm thick)  
2) TJ = 25 °C prior to surge  
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
180  
Unit  
K/W  
Thermal resistance junction to ambient air 1)  
Thermal resistance junction to lead  
RthJL  
Tj  
30  
150  
K/W  
°C  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
TS  
- 55 to + 150  
°C  
Note  
1) Mounted on epoxy-glass PCB with 3 mm x 3 mm Cu pads (≥ 40 µm thick)  
Document Number 85810  
Rev. 2.0, 23-Mar-10  
www.vishay.com  
1
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com  
1234567

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与BZD27C16P-GS18相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BZD27C16P-HE3-08 VISHAY Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

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BZD27C16P-HE3-18 VISHAY DIODE ZENER 800MW SMF DO219

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BZD27C16P-M VISHAY Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C16P-M08 VISHAY DIODE 16.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FR

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BZD27C16P-M-08 VISHAY DIODE 16 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE

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BZD27C16P-M18 VISHAY DIODE 16.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FR

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