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BZD27C13P

更新时间： 2024-02-21 21:12:00

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TSC		稳压二极管测试光电二极管
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3页	158K
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Voltage Regulator Diodes

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BZD27C13P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2.3 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	13 V	最大反向电流：	2 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
电压温度Coeff-Max：	13 mV/ °C	工作测试电流：	50 mA
Base Number Matches：	1

BZD27C13P 数据手册

Preliminary

BZD27C6V8P THRU BZD27C200P

Voltage Regulator Diodes

Voltage Range

6.8 to 200 Volts

0.8 Watts Power Dissipation

Sub SMA

Features

Silicon planar zener diodes

Low profile surface-mount package

Zener and surge current specification

Low leakage current

Excellent stability

High temperature soldering:

260^OC / 10 sec. at terminals

Mechanical Data

Case: Sub SMA Plastic

Packaging method: refer to package code

Marking code: as table

Weight: 10 mg (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

V_F

Ptot

Value

1.2

2.3

0.8

300

Units

Forward Voltage

@ IF = 0.2A

Power Dissipation

TL=80^OC

TA=25^OC (Note 1)

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

100us square pulse (Note 2)

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

10/1000 us waveform (BZD27-C7V5P to

BZD27-C100P) (Note 2)

P_ZSM

P_RSM

150

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

10/1000 us waveform (BZD27-110P to BZD27-C200P)

(Note 2)

100

P_RSM

Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)

180

K /W

^OC

R_θJA

R_θJL

T_J, T_STG

Thermal Resistance Junction to Lead

Operating and Storage Temperature Range

-65 to + 150

Notes: 1. Mounted on Epoxy-Glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≧40um thick)

2. T_J=25^OC Prior to Surge.

08.30.2005/rev. d

12 3

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