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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.78 |
| 最小击穿电压： | 77 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 114 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 300 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BZD27-C82/T3 | NXP | DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| BZD27-C82A | EIC | VOLTAGE REGULATOR DIODES |
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| BZD27C82P | TSC | Voltage Regulator Diodes |
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| BZD27C82P | BL Galaxy Electrical | VOLTAGE REGULATOR DIODES |
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| BZD27C82P | LGE | Voltage Regulator Diodes |
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| BZD27C82P | VISHAY | Zener Diodes with Surge Current Specification |
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