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BZD23-C110

更新时间: 2024-09-22 22:07:39
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恩智浦 - NXP 瞬态抑制器稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
9页 44K
描述
Voltage regulator diodes

BZD23-C110 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.88
Is Samacsys:N最小击穿电压:104 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:152 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE最大动态阻抗:250 Ω
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:110 V
最大反向电流:5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZD23-C110 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BZD23 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of October 1991  

与BZD23-C110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZD23C11AMO PHILIPS

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BZD23-C12 NXP

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Voltage regulator diodes
BZD23C120 NXP

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DIODE 120 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode
BZD23-C120 NXP

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Voltage regulator diodes
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Zener Diode, 120V V(Z), 5%, 2.5W,
BZD23-C120AMO NXP

获取价格

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
BZD23C12AMO PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 2.5W,
BZD23-C12AMO NXP

获取价格

DIODE 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAG-2, Transien