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BZB84-B16,215

更新时间: 2024-02-28 04:25:16
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其他 - ETC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 2077K
描述
DIODE ZENER ARRAY 16V SOT23

BZB84-B16,215 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-236
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:1.34
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
标称参考电压:16 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZB84-B16,215 数据手册

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BZB84 series  
Dual Zener diodes  
Rev. 03 — 9 June 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
General-purpose Zener diodes in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features  
I Non-repetitive peak reverse power  
I Small plastic package suitable for  
surface-mounted design  
dissipation: 40 W  
I Total power dissipation: 300 mW  
I Dual common anode configuration  
I AEC-Q101 qualified  
I Two tolerance series:  
B = ±2 % and C = ±5 %  
I Wide working voltage range:  
nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)  
1.3 Applications  
I General regulation functions  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Per diode  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
[1]  
[2]  
VF  
forward voltage  
IF = 10 mA  
-
-
-
-
0.9  
40  
V
PZSM  
non-repetitive peak reverse  
power dissipation  
W
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  
[2] tp = 100 µs; square wave; Tj = 25 °C prior to surge  

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