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BZB84-B11,235

更新时间： 2024-02-03 11:21:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	82K
描述
11V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

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BZB84-B11,235 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	标称参考电压：	11 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZB84-B11,235 数据手册

BZB84 series

Dual Zener diodes

Rev. 03 — 9 June 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

General-purpose Zener diodes in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Non-repetitive peak reverse power

I Small plastic package suitable for

surface-mounted design

dissipation: ≤ 40 W

I Total power dissipation: ≤ 300 mW

I Dual common anode conﬁguration

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Two tolerance series:

B = ±2 % and C = ±5 %

I Wide working voltage range:

nominal 2.4 V to 75 V (E24 range)

1.3 Applications

I General regulation functions

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per diode

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

[1]

[2]

V_F

forward voltage

I_F= 10 mA

0.9

P_ZSM

non-repetitive peak reverse

power dissipation

[1] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

[2] t_p= 100 µs; square wave; T_j= 25 °C prior to surge

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BZB84-B12,235	NXP	获取价格	12V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
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BZB84-B13,235	NXP	获取价格	13V, 0.3W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3