生命周期: | Active | 包装说明: | METAL PACKAGE-1 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.73 |
应用: | VERY FAST RECOVERY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.5 V | JEDEC-95代码: | DO-4 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 150 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 12 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 最大功率耗散: | 20 W |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向电流: | 3000 µA |
最大反向恢复时间: | 0.1 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYX61-100R | STMICROELECTRONICS |
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12A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYX61-100R | NJSEMI |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS DIODES | |
BYX61200 | NJSEMI |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS DIODES | |
BYX61-200 | NJSEMI |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS DIODES | |
BYX61-200 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYX61-200R | STMICROELECTRONICS |
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12A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYX61-300 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYX61-300R | STMICROELECTRONICS |
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12A, 300V, SILICON, RECTIFIER DIODE | |
BYX61-400 | NJSEMI |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS DIODES | |
BYX61-400 | STMICROELECTRONICS |
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12A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE |